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王焕友
日期:2017-11-11 00:00:00  浏览量:476

 

      

王焕友,男,汉族,1966年生,湖南常德人,中南大学凝聚态物理专业博士,副教授,湘南学院“十二五”重点学科“微电子学与固体电子学”学科带头人,“电子电气虚拟仿真实验教学中心”湖南省普通高校实践教学建设项目负责人,2015年全国大学生电子设计大赛一等奖指导老师。
研究工作主要涉及III—V族化合物半导体的电子结构、弹性性质、晶格动力学和热力学性质研究、GaN基发光二极管材料内应力应变与生长条件和工艺的关系及其对发光性能影响规律研究。主持了“MOCVD GaN基材料内应力应变对其发光性能的影响规律研究”湖南省自然科学基金; “湘南学院-高斯贝尔数码科技股份有限公司合作培养人才模式、机制与共建基地的研究与实践”湖南省高等教育教学质量与教学改革项目;以及“图形衬底GaN基量子阱结构的应力状态与发光性能关系研究湖南省教育厅科研一般项目。
近年来在“Materials Science in Semiconductor Processing、“Journal of Optoelectronics and Advanced Materials、“中国科学”、“物理学报”等国内外学术期刊上发表论文近30篇, SCI、EI收录近20篇,并有多篇获得湖南省和郴州市自然科技论文奖励。
学习经历:
1986.9—1900.6长春工程学院学习,地球物理专业; 2001.9—2004.6中南大学学习,凝聚态物理专业; 2005.9—2009.12中南大学学习,凝聚态物理专业。
工作经历: 1900.7—2001.8湖南郴州市雷坪有色矿技术开发工作; 2004.9—现在湘南学院任教。主讲《固体物理》、《半导体物理与器件》、《数字电子技术》、《模拟电子技术》等课程。
近年来发表的部分第一作者论文:
[1] 圆锥形图形化蓝宝石衬底对MOCVD生长GaN外延膜的位错密度和应力应变影响。中国科学:物理学 力学 天文学,43(11):1519–1524,2013
[2] V-defects formation and optical properties of InGaN/GaN multiple quantum well LED grown on patterned sapphire substrate. Materials Science in Semiconductor Processing, 29: 112-116, 2015
[3]Enhancement of InGaN-Based Light Emitting Diodes Performance Grown on Cone-Shaped Pattern Sapphire Substrates.,Journal of Materials Science and Chemical Engineering 2, 53-58, 2014
[4]Dependence of the structure, optical phonon modes anddielectric properties on pressure in wurtzite GaN andAlN. JOURNAL OF OPTOELECTRONICS AND ADVANCED MATERIALS, 17: 1302-1308, 2015
[5] Pressure dependence of elastic and dynamical properties of zinc-blende ZnS and ZnSe from first principle calculation. Condensed Matter Physics, 15(1): 13705-13714, 2012
[6] Ab Initio Thermodynamics of  zinc-blende ZnS and ZnSe. International Journal of Modern Physics B, 25(32), 4553-4561, 2011
[7] Thermodynamics of wurtzite GaN from first-principle calculation. The European Physical Journal B, 62: 39-43, 2010
[8] High- pressure lattice dynamics and thermodynamic properties of zine-blende BN from first-principles calculation. Physics Letters A, 373: 2082-2086, 2009
[9] The dielectric and dynamical properties of zinc-blende BN, AlN, and GaN from first principle calculation. Science in China Series G, 51(8): 1037-1045, 2008
[10]闪锌矿结构AlN,AlP和AlAs介电和弹性性质的第一性原理研究。中国有色金属学报,18(9):1680-1685,2008
[11]闪锌矿结构BN, AlN和GaN的介电和动力学性质的第一性原理计算。中国科学G辑,38(8):1672-1780,2008
[12] ELECTRONIC STRUCTURE, DIELECTRIC AND DYNAMICAL PROPERTIES OF ZINC-BLENDE AlN FROM FIRST PRINCIPLES CALCULATION . Modern Physics Letters B, 21(26): 1775-1784, 2007
[13]静止颗粒体的应变与弹性.物理学报,54(6):2784-2791,2005
 
 
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